Proč je třeba ztenčit oplatky?

Feb 24, 2025 Zanechat vzkaz

Ředění oplatky je klíčovým krokem ve výrobě polovodičů a jeho hlavním účelem je splnit požadavky na výkon čipu, balení, rozptylu tepla atd.

 

Obsah
Tloušťka křemíkového oplatky
Výhody po ztenčení oplatky
Proces ředění oplatky
Technologie ztenčení oplatky

Why do wafers need to be thinned?

1. Tloušťka křemíku
V front-end procesu výroby polovodičů musí mít oplatka dostatečná tloušťka, aby splňovala požadavky mechanické pevnosti a warpage, aby se s ní mohla manipulovat a přenášet uvnitř a mezi zařízeními.
150 mm (6- palce) oplatka
Standardní tloušťka: Asi 675 mikronů
Rozsah: Obvykle mezi 650 mikrony a 700 mikronů
200 mm (8- palce) oplatka
Standardní tloušťka: Asi 725 mikronů
Rozsah: Obvykle mezi 700 mikrony a 750 mikronů
300 mm (12- palce) oplatka
Standardní tloušťka: Asi 775 mikronů
Rozsah: Obvykle mezi 750 mikrony a 800 mikronů


2. výhody ztenčení oplatky
Ve fázi balení musí být oplatka obvykle ztenčena na asi 100 ~ 200 mikronů. Je to proto, že zředěná oplatka může přinést následující výhody:
Snižte objem balíčku: Tenčí oplatky pomáhají dosáhnout miniaturizace balení čipů
Zlepšit účinnost rozptylu tepla: Tenká destička jsou více příznivé pro extrakci tepla ze substrátu
Snížení vnitřního napětí: Ředění může snížit vnitřní napětí generované během provozu čipu, čímž se sníží riziko praskání čipů
Zlepšit elektrický výkon: Tenká destička může přiblížit pokovování zlatého zlatého
Zlepšete výnos pro napětí: Zředěné destičky mohou snížit objem zpracování během balení a vyhnout se vadám, jako je kolaps okraje a kolaps rohu


3. Proces ředění oplatky
Aby se dosáhlo ztenčení oplatky, obvykle se používají mechanické broušení, chemické mechanické leštění (CMP) a další procesy.

Specifický proces procesu ředění zahrnuje předběžné přípravy, operace ztenčení (jako je drsné broušení, jemné broušení, leštění atd.) A následné zpracování (jako je odstranění zbytků, měření rovinnosti, kontrola kvality atd.).

V technologiích pokročilých balení, jako je 2,5D a 3D balení, může být požadovaná tloušťka čipu dokonce nízká jako 30 mikronů

 

4. Technologie ztenčení oplatky

1. Mechanická metoda broušení

Mechanické broušení je jednou z nejčastěji používaných metod ztenčení oplatky, které odstraní přebytečný materiál na zadní straně oplatky fyzickým třením. Tato metoda je obvykle rozdělena do dvou fází: hrubé broušení a jemné broušení:

Hrubé broušení: Používání diamantových nebo pryskyřičných broušených kol k odstranění velkého množství materiálu vysokou rychlostí

Jemné broušení: Použití jemnějších abraziv a nižších rychlostí broušení pro další zdokonalení povrchu oplatky a snížení drsnosti. Výhodou mechanického broušení jsou vysoká účinnost a rychlost, které jsou vhodné pro hmotnostní výrobu, ale mohou zavést mechanické napětí a poškození povrchu.

2. chemické mechanické leštění (CMP)

CMP kombinuje duální účinky chemického leptání a mechanického broušení. Synergickým účinkem chemické kaše a lešticí podložky odstraňuje nepravidelnou morfologii na povrch oplatky a dosahuje vysoké planárizace. CMP může poskytnout vyšší přesnost kontroly a kvalitu povrchu a je vhodná pro výrobu integrovaného obvodu s extrémně vysokou požadavkem na kvalitu povrchu.

3. mokré leptání
Mokré leptání používá kapalné chemikálie nebo leptající k selektivnímu odstranění specifických materiálových vrstev na oplatce chemickými reakcemi. Je rozdělena na izotropní leptání a anizotropní leptání. Výhodou mokrého leptání jsou vysoká selektivita a schopnosti jemné kontroly, které mohou dosáhnout přesnosti zpracování nano-úrovně na povrchu oplatky.

4. Suché leptání
Suché leptání používá plazmatické nebo iontové paprsky k odstranění materiálů a má vlastnosti vysoké přesnosti a vysoké selektivity. Je vhodný pro ztenčení oplatky, které vyžaduje vysokou přesnost a komplexní struktury.

 

5. Ředění laseru
Technologie ředění laseru používá vysokou energetickou hustotu laserového paprsku k odstranění materiálů tepelným nebo fotochemickým působením. Tato metoda může dosáhnout lokálního ztenčení a je vhodná pro jemné zpracování konkrétních oblastí.