Ningbo Sibranch Microelectronics Technology Co., Ltd.:Váš důvěryhodný výrobce 300mm silikonové destičky!
Společnost Sibranch Microelectronics, založená v roce 2006 vědcem pro materiálové vědy a inženýrství v Ningbo, Čína, si klade za cíl poskytovat polovodičové destičky a služby po celém světě. Mezi naše hlavní produkty patří standardní křemíkové destičky SSP (jednostranně leštěné), DSP (oboustranně leštěné), zkušební křemíkové destičky a prime silikonové destičky, destičky SOI (Silicon on Insulator) a destičky v rolích mincí o průměru až 12 palců, CZ/MCZ/FZ, off3}}, nízká odolnost, téměř jakákoliv orientace ultra-tenké, silné oplatky atd.
Vedoucí služba
Jsme odhodláni neustále inovovat naše produkty, abychom zahraničním zákazníkům poskytovali velké množství-kvalitních produktů, které překročí spokojenost zákazníků. Můžeme také poskytnout přizpůsobené služby podle požadavků zákazníků, jako je velikost, barva, vzhled atd. Můžeme poskytnout nejpříznivější cenu a vysoce kvalitní-produkty.
Kvalita zaručena
Neustále zkoumáme a inovujeme, abychom vyhověli potřebám různých zákazníků. Zároveň vždy dodržujeme přísnou kontrolu kvality, abychom zajistili, že kvalita každého produktu odpovídá mezinárodním standardům.
Široké prodejní země
Zaměřujeme se na prodej na zahraničních trzích. Naše výrobky jsou vyváženy do Evropy, Ameriky, jihovýchodní Asie, na Střední východ a do dalších regionů a jsou dobře přijímány zákazníky po celém světě.
Různé typy produktů
Naše společnost nabízí přizpůsobené služby zpracování křemíkových plátků přizpůsobené specifickým potřebám našich klientů. Mezi ně patří mimo jiné Si Wafer BackGrinding, Dicing, DownSizing, Edge Grinding a také MEMS. Snažíme se dodávat řešení na míru, která překonávají očekávání a zajišťují spokojenost zákazníků.
Typy produktů
CZ Silicon Wafers jsou řezány z monokrystalických křemíkových ingotů tažených metodou růstu Czochralski CZ, která je nejrozšířenější v elektronickém průmyslu k pěstování křemíkových krystalů z velkých válcových křemíkových ingotů používaných k výrobě polovodičových součástek. V tomto procesu se podlouhlé krystalické křemíkové zrnko s přesnou tolerancí orientace zavádí do křemíkové roztavené lázně s přesně řízenou teplotou. Zárodečný krystal je pomalu vytahován nahoru z taveniny přísně řízenou rychlostí a na rozhraní nastává krystalické tuhnutí atomů kapalné fáze. Během tohoto procesu tažení se zárodečný krystal a kelímek otáčejí v opačných směrech a tvoří velký monokrystalický křemík s dokonalou krystalovou strukturou zárodku.
Plátka oxidu křemíku je pokročilý a základní materiál používaný v různých high{0}}tech průmyslových odvětvích a aplikacích. Jedná se o vysoce-krystalickou látku s vysokou čistotou vyráběnou zpracováním-kvalitních křemíkových materiálů, díky čemuž je ideálním substrátem pro mnoho různých typů elektronických a fotonických aplikací.
Falešné destičky (také nazývané zkušební destičky) jsou destičky používané hlavně pro experiment a testování a liší se od obecných destiček pro produkt. V souladu s tím se regenerované destičky většinou používají jako slepé destičky (zkušební destičky).
Silikonový plátek potažený zlatem
Pozlacené-křemíkové plátky a pozlacené-křemíkové čipy se široce používají jako substráty pro analytickou charakterizaci materiálů. Například materiály nanesené na pozlacené-wafery lze analyzovat pomocí elipsometrie, Ramanovy spektroskopie nebo infračervené (IR) spektroskopie kvůli vysoké -reflexi a příznivým optickým vlastnostem zlata.
Silikonové epitaxní destičky jsou vysoce univerzální a lze je vyrábět v různých velikostech a tloušťkách, aby vyhovovaly různým průmyslovým požadavkům. Používají se také v různých aplikacích, včetně integrovaných obvodů, mikroprocesorů, senzorů, výkonové elektroniky a fotovoltaiky.
Vyrábí se pomocí nejnovější technologie a je navrženo tak, aby nabízelo bezkonkurenční spolehlivost a konzistentnost výkonu. Thermal Oxide Dry and Wet je základním nástrojem pro výrobce polovodičů po celém světě, protože poskytuje efektivní způsob výroby vysoce-kvalitních destiček, které splňují všechny náročné požadavky tohoto odvětví.
Tento plátek má průměr 300 milimetrů, takže je větší než tradiční velikosti plátků. Díky této větší velikosti je nákladově-efektivnější a efektivnější, což umožňuje vyšší produkční výkon bez obětování kvality.
100mm křemíkový plátek je vysoce-kvalitní produkt, který je široce používán v elektronickém a polovodičovém průmyslu. Tento wafer je navržen tak, aby poskytoval optimální výkon, přesnost a spolehlivost, které jsou nezbytné při výrobě polovodičových součástek.
200mm křemíkový plátek je také všestranný ve svých aplikacích, s aplikacemi ve výzkumu a vývoji a také ve velko-objemové výrobě. Lze jej přizpůsobit vašim přesným specifikacím, s možnostmi pro tenké nebo tlusté wafery, leštěné nebo neleštěné povrchy a další funkce založené na vašich specifických potřebách.
Co je to Silicon Wafer Substrát
Křemíkové substráty jsou důležitou součástí výroby polovodičových integrovaných obvodů a zařízení. Ve svém jádru jednoduše poskytují pevný základ - doslova substrát -, na kterém lze pomocí složité fotolitografie a výrobních kroků konstruovat mikroelektronické obvody. Křemíkové substráty však ovlivňují mnohem více, než jen poskytují integrovaným obvodům plochý povrch, na kterém lze stavět. Krystalické a elektronické vlastnosti samotného substrátového plátku jsou rozhodující při určování konečných výkonnostních schopností zařízení vyrobených nahoře. Faktory, jako je orientace krystalů, chemická čistota, hustota defektů mřížky a charakteristiky elektrického odporu, musí být během výroby substrátu přísně kontrolovány a optimalizovány.
Vlastnosti silikonového waferového substrátu
Odpor
Jak již bylo zmíněno, měrný odpor udává, jak moc wafer brání toku elektronů. Většina zařízení vyžaduje substráty s přesným rozsahem odporu. Toho je dosaženo dopováním křemíku nečistotami -, nejčastěji borem (pro typ p-) nebo fosforem (pro typ n-).
Typické odpory křemíkového substrátu:
1-30 Ω-cm – nízký odpor, používá se pro logiku CMOS
30-100 Ω-cm – epitaxní substráty
1000 Ω-cm - vysoký odpor, používaný pro RF zařízení
Plochost/hladkost
Plochost povrchu měří, jak rovinný je povrch substrátu, zatímco hladkost označuje drsnost. Oba jsou důležité pro čisté fotolitografické vzorování a zajištění správného sestavení zařízení. Rovinnost se kvantifikuje pomocí měření zvaného Total Thickness Variation (TTV). Dobré byty mají TTV < 10 μm napříč plátkem. Hladkost nebo drsnost se měří pomocí Root Mean Squared (RMS) drsnosti. Špičkové substráty mají RMS drsnost < 0,5 nm.
Výroba silikonového waferového substrátu
Výroba vysoce kvalitních křemíkových plátkových substrátů je obrovskou technickou výzvou vyžadující pokročilé výrobní techniky. Zde je rychlý přehled:
Růst ingotů
Vše začíná pěstováním velkých monokrystalických ingotů pomocí Czochralského metody. V tomto procesu jsou kusy ultračistého polysilikonu vloženy do křemenného kelímku a roztaveny. Drobné monokrystalické „semínko“ se spustí, dokud se nedotkne roztaveného povrchu, a poté se pomalu vytáhne nahoru. Když je zárodečný krystal vytahován, kapalný křemík na něm tuhne, což umožňuje růst velkého monokrystalu.
Atomy nečistot se opatrně přidávají, aby dopovaly ingot na specifikovaný měrný odpor. Běžnými dopanty jsou bór a fosfor. Chlazení je přesně řízeno, aby byl zajištěn růst krystalů bez defektů.
Krájení
Velký monokrystalický ingot je rozřezán na jednotlivé plátky pomocí pil s vnitřním průměrem. Diamantové kotouče nepřetržitě řežou velmi tenké plátky z celého ingotu současně. Chladicí kapalina se používá k minimalizaci poškození třením a zahříváním.
Krájení musí být vysoce přesné, aby byla zajištěna stejnoměrná tloušťka a rovinnost plátku. Tloušťka terče je kolem 0,7 mm.
Lapování
Po nakrájení mají oplatky středně drsný povrch. K jejich zploštění se používá abrazivní lapovací proces. To zahrnuje přitlačení každého povrchu plátku proti litinové lapovací desce pokryté abrazivní kaší. Deska se otáčí, zatímco je z povrchu destičky vyvíjen přesně řízený tlak.
Lapování odstraňuje materiál rovnoměrně z povrchu a zároveň vyrovnává všechny výčnělky nebo hřebeny, které zůstaly po krájení. To pomáhá zlepšit celkovou plochost plátku.
Lept
Lapování může způsobit poškození povrchu až do hloubky 10-15 μm. To se odstraní leptáním povrchu pomocí směsí kyselých nebo alkalických chemikálií. Leptání rozpouští křemík řízenou rychlostí, aby se odstranilo poškození lapováním a zanechává čistý nepoškozený povrch pro konečné leštění.
Leštění
Posledním krokem je vytvoření ultrahladkého, -nepoškozeného povrchu pomocí procesu leštění. To využívá podobnou mechaniku jako lapování, ale s alkalickou koloidní leštící kaší namísto abraziv. Krok leštění eliminuje podpovrchové poškození z předchozích kroků.
Leštění pokračuje, dokud není dosaženo požadované RMS specifikace drsnosti povrchu. K dosažení jednociferné angstromové drsnosti může být zapotřebí mnoho cyklů přesného leštění.
Co byste měli vědět při použití silikonového waferového substrátu
Nadměrné napětí a tlak způsobený rýhováním, spojováním drátů, oddělováním matric a balicími operacemi může způsobit, že křemíkový plátek zkřehne nebo praskne. Tento typ selhání nebo poškození může ovlivnit trvanlivost destičky a může ji učinit nepoužitelnou.
Tepelná roztažnost odkazuje na tendenci hmoty expandovat nebo měnit svůj objem, tvar nebo plochu v důsledku změny teploty. Když je tedy substrát vystaven teplu, které přesahuje to, co je schopen snést, může to vést k prasknutí nebo rozbití.
Stávající krystalografické defekty, jako jsou dislokace, precipitáty kyslíku a stohovací chyby, jak v křemíkové destičce, tak v epitaxní vrstvě, mohou zhoršit kvalitu destičky a vést k defektům. Tyto závady mohou způsobit tok významných, abnormálních svodových proudů nebo vytvoření trubek s nízkým -odporem, které mohou zkratovat-spojky.
Efekty difúze a iontové implantace, jako jsou různé anomální difúzní jevy spojené se specifickými kombinacemi defektů krystalů nebo dopantů a reakce sraženiny kontaminujícího kovu, mohou ovlivnit kvalitu destičky a selhat.
Co je třeba zvážit při manipulaci a skladování křemíkových substrátů
Prostředí řízené čisté místnosti: Udržování optimálních podmínek
Při výrobě polovodičů jsou prostředí čistých prostor pečlivě kontrolována, aby se minimalizovala rizika kontaminace a zaručila se nejvyšší kvalita křemíkových plátků. Tato prostředí obvykle dodržují přísné standardy čistoty, jako jsou čisté prostory ISO třídy 1 nebo třídy 10, kde je pečlivě kontrolován počet polétavých částic na metr krychlový vzduchu. Čisté prostory mají specializované filtrační systémy, které nepřetržitě odstraňují částice ze vzduchu, aby byly zachovány optimální podmínky. Vzduchové filtry s vysokou -účinností (HEPA) a vzduchové filtry s ultra-nízkými částicemi (ULPA) zachycují částice o velikosti 0,3 mikronu a 0,12 mikronu.
Snížení rizik elektrostatického výboje: Ochrana před poškozením
Elektrostatický výboj představuje významnou hrozbu pro křemíkové substráty během manipulace a skladování. Polovodičová zařízení zavádějí opatření pro kontrolu statické elektřiny, jako jsou uzemňovací pásy, dmychadla s ionizujícím vzduchem a vodivé podlahy, aby rozptýlily statický náboj a zabránily poškození plátků. Personál nosí zemnící popruhy, aby bezpečně vybíjel statickou elektřinu ze svých těl, zatímco dmychadla s ionizujícím vzduchem neutralizují statický náboj na površích. Vodivé podlahové materiály umožňují, aby se statický náboj neškodně rozptýlil do země, čímž se snižuje riziko vzniku elektrostatických výbojů.
Řešení ochranných obalů: Ochrana před poškozením
Správné balení je životně důležité pro ochranu substrátů křemíkových plátků před fyzickým poškozením, kontaminací a vlhkostí během přepravy a skladování. Polovodičová zařízení používají různá řešení ochranných obalů k ochraně plátků a zachování jejich integrity v celém dodavatelském řetězci. Jedním z běžných balících řešení je vakuově{2}}uzavřené balení, kde jsou silikonové plátky umístěny v uzavřeném sáčku nebo nádobě a vakuově{3}}uzavřeny, aby se odstranil vzduch a vytvořila se ochranná bariéra proti kontaminantům a vlhkosti. Balení s vysoušedlem je často součástí balení, aby absorbovalo zbytkovou vlhkost a udrželo suché prostředí.
Dodržování manipulačních protokolů: Preciznost a péče
Přísné dodržování manipulačních protokolů je nezbytné pro minimalizaci rizik během výroby a montáže plátků. Polovodičová zařízení vyvíjejí podrobné manipulační postupy a protokoly, které nastiňují osvědčené postupy pro bezpečnou přepravu, manipulaci a zpracování křemíkových plátků. Tyto manipulační protokoly obvykle pokrývají širokou škálu činností, včetně nakládání a vykládání plátků, kontroly plátků, chemického zpracování a mechanické manipulace. Poskytují pokyny-za{4}}krokem pro každý úkol, specifikují vybavení, které se má použít, správné techniky, které je třeba dodržovat, a bezpečnostní opatření, která je třeba dodržovat.
Systémy sledování a sledování: Zajištění odpovědnosti a sledovatelnosti
Robustní identifikační a sledovací systémy poskytují odpovědnost a sledovatelnost v celém procesu výroby polovodičů. Tyto systémy přidělují každému substrátu křemíkového plátku jedinečný identifikátor, který obsahuje informace o jeho původu, historii zpracování a výsledcích kontroly kvality. Jednou z běžných metod identifikace plátků je použití čárových kódů nebo radio-značek pro identifikaci (RFID) aplikovaných na plátky v různých fázích výroby. Tyto identifikátory jsou skenovány a zaznamenávány v každém kroku výrobního procesu, což umožňuje polovodičovým zařízením sledovat pohyb a stav waferů v reálném-čase.
Optimální podmínky skladování: Zachování kvality v průběhu času
Správné skladovací podmínky jsou zásadní pro zachování kvality a integrity substrátů křemíkových plátků během celého procesu výroby polovodičů. Polovodičová zařízení udržují vyhrazené skladovací prostory v prostředí čistých prostor, vybavené klimaticky{1}}řízenými skříněmi a stojany pro uchování waferů za optimálních podmínek. Kontrola teploty a vlhkosti je nezbytná pro zabránění degradaci a zajištění stability křemíkových plátků během skladování. Polovodičová zařízení obvykle udržují skladovací teploty mezi 18 a 22 stupni a vlhkostí mezi 40 % a 60 %, aby se minimalizovalo riziko poškození a kontaminace související s vlhkostí-.
FAQ
proč nás vybrat
Naše produkty pocházejí výhradně od pěti největších světových výrobců a předních domácích továren. Podporováno vysoce kvalifikovanými domácími a mezinárodními technickými týmy a přísnými opatřeními kontroly kvality.
Naším cílem je poskytovat zákazníkům komplexní individuální podporu a zajistit hladké komunikační kanály, které jsou profesionální, včasné a efektivní. Nabízíme nízké minimální množství objednávky a garantujeme rychlé dodání do 24 hodin.
Tovární show
Náš rozsáhlý inventář se skládá z 1000+ produktů, což zajišťuje, že zákazníci mohou objednávat již od jednoho kusu. Naše vlastní zařízení pro kostičky a backgrinding a plná spolupráce v globálním průmyslovém řetězci nám umožňují rychlé odeslání, abychom zajistili spokojenost a pohodlí zákazníků na jednom místě.
Náš certifikát
Naše společnost je hrdá na různé certifikace, které jsme získali, včetně našeho patentového certifikátu, certifikátu ISO9001 a certifikátu National High-Tech Enterprise. Tyto certifikace představují naši oddanost inovacím, řízení kvality a závazek k dokonalosti.
Populární Tagy: křemíkový wafer substrát, Čína výrobci křemíkového wafer substrátu, dodavatelé, továrna
