Popis

Technické parametry

Popis výrobku

SOI je zkratka pro křemík na izolátoru. SOI wafer se skládá ze 3 základních vrstev, vrstvy zařízení, vrstvy BOX a vrstvy rukojeti. Vrstva BOX také nazývaná vrstva Buried Oxide je uvězněna mezi vrstvou Device a vrstvou Handle.

Tranzistory se tvoří v horní vrstvě zařízení, které jsou středem rychlosti a účinnosti SOI waferu. Tyto tranzistory jsou nejen skvělé, pokud jde o úsporu energie, ale jsou chráněny před vnějšími faktory, jako je kosmické záření a radioaktivní interference, což vede ke snížení ztráty dat.

Křemíkové wafery SOI jsou ideální pro vysoce výkonné integrované obvody, jako jsou mikroprocesory, protože poskytují stabilnější a spolehlivější základ pro obvody. Kromě toho jsou vhodné pro bezdrátová komunikační zařízení, která pro efektivní fungování vyžadují nízkou spotřebu energie a vysokorychlostní přenos dat.

Celkově vzato, křemíkové wafery SOI nabízejí významné výhody oproti tradičním křemíkovým waferům, což z nich dělá kritickou součást při výrobě moderní elektroniky.

Můžeme poskytnout průměr 2"-12", tloušťku horního křemíku 55nm-500um, tloušťku vrstvy skrytého kyslíku 175nm-16um.

Sibranch nabízí SOI wafery následujících typů:

Tlustý SOI oplatek

Tento typ waferu má tloušťku zařízení od 1 µm do 300 µm.

Ultratenký SOI plátek

Tento typ waferu má tloušťku zařízení<500nm.

Ultra-jednotný SOI plátek

Rovnoměrnost tloušťky zařízení může být až ±0,5µm pro silné SOI a ±10nm pro ultratenké SOI.

Ultra plochý SOI oplatek

Tento typ SOI má velmi nízký BOW/WARP/TTV pro specifické aplikace.

Průměr	76, 100 mm, 125 mm, 150 mm, 100 mm, 300 mm
Tloušťka zařízení a maximální tolerance	76 mm, 100 mm, 125 mm a 150 mm	2-50 +/- .5μm, 0.1~1+/- .025μm
		50-150 +/- 1μm
		>150 +/- 2μm
		6-50 +/- .5μm
	200 mm	50-150 +/- 1μm
		>150 +/- 2μm

Tloušťka oxidové vrstvy	Standardní – 0,5μm, 1μm a 2μm
Tloušťka oxidové vrstvy	Volitelně – ,1 – 10μm
Tloušťka rukojeti	3", 100 mm – 300 μm a více
	125 mm, 150 mm – 400 μm a více
	200 mm – 500 μm a více
	Tolerance: Standardní +/- 25 μm
	Speciální +/- 5μm
Dopanty	Typ N – fosfor, arsen a antimon
Dopanty	Typ P – Bor
Odpory	Většina odporů je k dispozici na vyžádání, včetně plovoucí zóny s vysokým odporem a nízkého odporu CZ
Orientace	<1-0-0>Standard,<1-1-1>a<1-1-0>Volitelné na vyžádání
	Standardní tolerance +/- 0,5 stupně
	Speciální tolerance až +/- 0,1 stupně
Orientace bytu	Všechny hlavní byty/zářezy jsou na<110>Rovina +/-,5 stupně
	Přesnější specifikace k dispozici na vyžádání
	Semi std minor flats jsou standardní na 76,2 a 100 mm
Dokončit	Oboustranně leštěný standard
Dokončit	Volitelné povrchové úpravy zadní strany – nano broušení nebo oxid
Nátěry	Oxid a nitrid lze dodávat na obě strany destičky.
Volitelná iontově implantovaná pohřbená vrstva	Vnořená vrstva může být implantována do aktivní vrstvy na spojovacím rozhraní. Zkontrolujte prosím, zda jsou k dispozici požadované dopanty, koncentrace dopantů a požadované energie. Tato služba je poskytována externím dodavatelem.

Obrázek produktu

proč nás vybrat

Naše produkty pocházejí výhradně od pěti největších světových výrobců a předních domácích továren. Podporováno vysoce kvalifikovanými domácími a mezinárodními technickými týmy a přísnými opatřeními kontroly kvality.

Naším cílem je poskytovat zákazníkům komplexní individuální podporu a zajistit hladké komunikační kanály, které jsou profesionální, včasné a efektivní. Nabízíme nízké minimální množství objednávky a garantujeme rychlé dodání do 24 hodin.

Tovární show

Náš rozsáhlý inventář se skládá z 1000+ produktů, což zajišťuje, že zákazníci mohou objednávat již od jednoho kusu. Naše vlastní zařízení pro kostičky a backgrinding a plná spolupráce v globálním průmyslovém řetězci nám umožňují rychlé odeslání, abychom zajistili spokojenost a pohodlí zákazníků na jednom místě.

Náš certifikát

Naše společnost je hrdá na různé certifikace, které jsme získali, včetně našeho patentového certifikátu, certifikátu ISO9001 a certifikátu National High-Tech Enterprise. Tyto certifikace představují naši oddanost inovacím, řízení kvality a závazek k dokonalosti.