Popis

Technické parametry

Popis výrobku

Naše 200mm SiC destičky jsou vzrušujícím novým přírůstkem do naší produktové řady. Tyto destičky jsou vyrobeny z vysoce kvalitního karbidu křemíku a nabízejí bezkonkurenční výkon a vynikající kvalitu. Naše destičky jsou navrženy tak, aby splňovaly náročné požadavky moderních výrobních procesů a jsou ideální pro použití v široké škále aplikací.

S 200 mm jsou tyto wafery jedny z největších dostupných, což znamená, že nabízejí lepší škálovatelnost a nižší náklady. Mají vysoce kvalitní povrchovou úpravu, která zajišťuje vynikající výkon a spolehlivost po dlouhou dobu. Kromě toho mají vynikající tepelnou vodivost, což znamená, že mohou být použity v prostředí s vysokou teplotou, aniž by ztratily svůj výkon.

Naše 200mm destičky SiC jsou vysoce univerzální a lze je použít v různých aplikacích. Jsou ideální pro použití ve výrobě polovodičů, kde jsou jejich vynikající tepelné vlastnosti a vysoký stupeň spolehlivosti oblíbenou volbou. Jsou také ideální pro použití v pokročilé výkonové elektronice, protože mohou pracovat při vysokém napětí a teplotách bez ztráty výkonu.

4H N-TYP SiC 100 MM, 350μm SPECIFIKACE WAFERU
Číslo článku	W4H100N-4-PO (nebo CO)-350
Popis	4H SiC substrát
Polytyp	4H
Průměr	(100+0.0-0.5) mm
Tloušťka	(350±25) μm (Technická třída ±50μm)
Typ nosiče	n-typu
Dopant	Dusík
Odpor (RT)	0.012-0.025Ω•cm (Technická třída<0.025Ω▪cm)
Orientace oplatky	(4+0.5) stupně
	Technický stupeň	Výrobní stupeň	Výrobní stupeň
	2.1	2.2	2.3
Hustota mikropipe	Menší nebo rovno 30 cm-²	Menší nebo rovno 10 cm-²	Menší nebo rovno 1 cm-²
Mikropipe Volná plocha	Nespecifikováno	Větší nebo rovno 96 %	Větší nebo rovno 96 %
Orientační byt (OF)
Orientace	Rovnoběžka {1-100} ±5 stupňů
Orientační plochá délka	(32,5±2.0) mm
lidentifikace bytu (IF)
Orientace	Si-face: 90 stupňů cw, od orientace ploché ±5 stupňů
lidentifikace plochá délka	(18.0+2.0) mm
Povrch	Možnost 1: Standardní leštěnka na Si-face Optická leštěnka na epi-ready C-face
	Možnost 2: Si-face CMP Epi-ready, C-face optický lesk
Balík	Vícenásobná přepravní krabice na oplatky (25).
	(Jednotlivé balení oplatek na vyžádání)

6H N-TYP SiC, 2" WAFER SPECIFIKACE
Číslo článku	W6H51N-0-PM-250-S
Popis	Výrobní třída 6H SiC substrát
Polytyp	6H
Průměr	(50,8±38) mm
Tloušťka	(250±25) um
Typ nosiče	n-typu
Dopant	Dusík
Odpor (RT)	0.06-0.10Ω•cm
Orientace oplatky	(0+0.5) stupně
Hustota mikropipe	Menší nebo rovno 100 cm-²
Orientace bytu orientace	Rovnoběžka {1-100} ±5 stupňů
Orientační plochá délka	(15,88±1,65) mm
Identifikační orientace bytu	Si-face: 90 stupňů cw. orientace čela plochá ±5 stupňů
lidentifikace plochá délka	(8+1,65) mm
Povrch	Si-face standardní leštěnka Epi-ready
Povrch	C-face matný
Balík	Zabalte jedno balení oplatek nebo přepravní krabici pro více oplatek

Obrázek produktu

proč nás vybrat

Naše produkty pocházejí výhradně od pěti největších světových výrobců a předních domácích továren. Podporováno vysoce kvalifikovanými domácími a mezinárodními technickými týmy a přísnými opatřeními kontroly kvality.

Naším cílem je poskytovat zákazníkům komplexní individuální podporu a zajistit hladké komunikační kanály, které jsou profesionální, včasné a efektivní. Nabízíme nízké minimální množství objednávky a garantujeme rychlé dodání do 24 hodin.

Tovární show

Náš rozsáhlý inventář se skládá z 1000+ produktů, což zajišťuje, že zákazníci mohou objednávat již od jednoho kusu. Naše vlastní zařízení pro kostičky a backgrinding a plná spolupráce v globálním průmyslovém řetězci nám umožňují rychlé odeslání, abychom zajistili spokojenost a pohodlí zákazníků na jednom místě.

Náš certifikát

Naše společnost je hrdá na různé certifikace, které jsme získali, včetně našeho patentového certifikátu, certifikátu ISO9001 a certifikátu National High-Tech Enterprise. Tyto certifikace představují naši oddanost inovacím, řízení kvality a závazek k dokonalosti.

Populární Tagy: 200mm sic wafers, Čína 200mm sic wafers výrobci, dodavatelé, továrna