Představení produktu a aplikace arsenidu galia

Arsenid galia s chemickým vzorcem GaAs je sloučenina skupiny III-V polovodič. Skládá se z arsenu a galia. Má jasně šedý vzhled, kovový lesk a je křehký a tvrdý. Složené polovodičové materiály s vynikajícími vlastnostmi, jako je vysoká frekvence, vysoká mobilita elektronů, vysoký výstupní výkon, nízký šum a dobrá linearita, jsou jedním z nejdůležitějších podpůrných materiálů pro optoelektroniku a mikroelektronický průmysl.
Na aplikační úrovni v optoelektronickém průmyslu lze monokrystaly GaAs použít k výrobě LD (lasery), LED (diody emitující světlo), optoelektronických integrovaných obvodů (OEIC) a fotovoltaických zařízení.
Na aplikační úrovni v mikroelektronickém průmyslu jej lze použít k výrobě MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor), HEMT (High Electron Mobility Transistor), HBT (Heterojunction Bipolar Transistor), IC, mikrovlnné diody, Hallova zařízení atd.
Zahrnuje především špičkové vojenské elektronické aplikace, komunikační systémy s optickými vlákny, širokopásmové satelitní bezdrátové komunikační systémy, testovací přístroje, automobilovou elektroniku, lasery, osvětlení a další obory. Jako důležitý polovodičový materiál je pohyblivost elektronů GaAs pětkrát větší než u nitridu křemíku a gallia. Používá se v mikrovlnných zařízeních malého a středního výkonu s nižší ztrátou výkonu. Proto se používá v komunikacích mobilních telefonů, místních bezdrátových sítích, GPS a automobilových radarech. dominantní v.